研究背景與挑戰(zhàn)
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSCs）雖在小面積器件展現(xiàn)突破性進(jìn)展，但大面積模塊（PSMs）的性能瓶頸仍是商業(yè)化的關(guān)鍵障礙，其根本問(wèn)題在于大面積鈣鈦礦薄膜質(zhì)量控制的困難。
相較于實(shí)驗(yàn)室惰性環(huán)境下的小面積制備，大面積制造面臨復(fù)雜的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)控制與嚴(yán)苛的環(huán)境挑戰(zhàn)，導(dǎo)致從電池到模塊的顯著效率損失。主要技術(shù)難點(diǎn)包括：
1. 制程控制復(fù)雜性：溶液制備涉及前驅(qū)體濃度、溶劑特性及制程參數(shù)的精密協(xié)調(diào)，這些因素的交互作用使致密均勻薄膜形成具挑戰(zhàn)性，限制了大面積制程所需的寬廣操作窗口。
2. 材料穩(wěn)定性矛盾：雖然以甲脒（FA）或銫（Cs）替代揮發(fā)性甲胺（MA）可提升熱穩(wěn)定性，但無(wú)MA的FACs鈣鈦礦易產(chǎn)生不良中間相且結(jié)晶行為難控；而過(guò)量Cs則會(huì)導(dǎo)致晶粒細(xì)化與結(jié)晶度下降。此外，FA+離子的大尺寸容易在薄膜中產(chǎn)生有害殘留應(yīng)變。
3. 環(huán)境敏感性：空氣中的濕氣和氧氣對(duì)鹵化鉛鈣鈦礦具高反應(yīng)性，可能引發(fā)破壞性相變和結(jié)構(gòu)崩解，嚴(yán)重影響器件穩(wěn)定性。
4. 研究策略局限：現(xiàn)有組分調(diào)控、添加劑工程等方法多專注單一面向，缺乏同時(shí)解決結(jié)晶控制與環(huán)境穩(wěn)定性的整合策略，使得制備高質(zhì)量大面積FACs鈣鈦礦薄膜仍是重大技術(shù)挑戰(zhàn)。
研究團(tuán)隊(duì)
這篇研究由華中科技大學(xué)陳煒團(tuán)隊(duì)發(fā)表于學(xué)術(shù)期刊《Advanced Energy Materials》。研究團(tuán)隊(duì)提出引入雙功能添加劑——巰基乙酰胺（mercaptoacetamide, MAA）的創(chuàng)新策略，旨在同時(shí)解決大規(guī)模制造中鈣鈦礦薄膜質(zhì)量控制與環(huán)境穩(wěn)定性的雙重挑戰(zhàn)。
MAA添加劑的核心作用機(jī)制包括：
結(jié)晶動(dòng)力學(xué)調(diào)控：延遲結(jié)晶速率，拓寬制程窗口，促進(jìn)大晶粒形成并改善晶體取向
缺陷鈍化與質(zhì)量提升：有效鈍化空位缺陷，提高薄膜均勻性與結(jié)晶度
環(huán)境保護(hù)功能：憑借強(qiáng)還原性，保護(hù)鈣鈦礦薄膜在空氣環(huán)境下免受水解和氧化損傷
透過(guò)MAA與鈣鈦礦組分的多重交互作用，該策略成功實(shí)現(xiàn)了結(jié)晶控制與環(huán)境穩(wěn)定性的協(xié)同優(yōu)化，為大面積高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜制備提供了有效解決方案。
實(shí)驗(yàn)方法與研究流程
Fig.6a
研究以雙功能添加劑巰基乙酰胺（MAA）為核心，建立了從小面積器件到大面積模塊的完整技術(shù)路線，并結(jié)合理論計(jì)算深入解析作用機(jī)制。
1. 關(guān)鍵材料體系：采用FACs鈣鈦礦系統(tǒng)（FAI、PbI?、CsBr），搭配C60電子傳輸層、poly-4pacz自組裝單分子層，以及創(chuàng)新引入的MAA雙功能添加劑。
2. 制程技術(shù)路線：
l 基板處理與功能層制備：FTO基板經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)清洗后，依序沉積NiOx電洞傳輸層和SAM界面層
l 鈣鈦礦層制備：將不同濃度MAA引入前驅(qū)物溶液，采用刀片涂布法沉積，經(jīng)真空處理和熱退火形成高質(zhì)量薄膜
l 器件完整化：依序制備PEAI鈍化層、C??/BCP電子傳輸層及Cu電極。除金屬電極外，所有制程均在空氣環(huán)境下完成
3. 規(guī)?；?yàn)證：成功將制程擴(kuò)展至5×5 cm和14×14 cm大面積基板，透過(guò)雷射劃線技術(shù)實(shí)現(xiàn)子電池串聯(lián)互聯(lián)，模塊幾何填充因子達(dá)96%。
4. 理論與性能驗(yàn)證：結(jié)合密度泛函理論（DFT）計(jì)算闡明MAA缺陷抑制機(jī)制，并進(jìn)行光熱和濕熱條件下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性測(cè)試，全面驗(yàn)證添加劑效果。
表征方法與成果
準(zhǔn)費(fèi)米能階分裂 (QFLS)
準(zhǔn)費(fèi)米能階分裂（QFLS）是衡量材料開(kāi)路電壓潛力的關(guān)鍵指針，同時(shí)能揭示非輻射復(fù)合損失的來(lái)源。本研究透過(guò)光致發(fā)光量子產(chǎn)率（PLQY）測(cè)量來(lái)定量評(píng)估 MAA 對(duì)缺陷鈍化效果。
結(jié)果顯示，經(jīng) MAA 處理的鈣鈦礦薄膜，其 PLQY 值高達(dá) 0.94%，遠(yuǎn)高于對(duì)照組的 0.25%。這表示薄膜內(nèi)的非輻射復(fù)合顯著減少，預(yù)示著器件性能，尤其是開(kāi)路電壓（VOC）的提升。根據(jù) PLQY 值計(jì)算，ΔQFLS 增加了 34.04 meV，這與完整器件 VOC 的增加幅度相符。
Figure 4g. PLQY values of the perovskite films without or with MAA deposited on glass substrates.
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J-V 曲線測(cè)量 (電流-電壓曲線)
J-V 曲線用于直接測(cè)量太陽(yáng)能電池及模塊的光電轉(zhuǎn)換效率 (PCE)、短路電流密度 (Jsc)、開(kāi)路電壓 (Voc) 和填充因子 (FF)。
結(jié)果：
? 小面積器件： 經(jīng)優(yōu)化 MAA 處理的小面積鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（有效面積 0.09 cm2），實(shí)現(xiàn)了 25.52% PCE，具體參數(shù)為 Jsc 24.76 mA cm?2、Voc 1.203 V 和 FF 85.68%。相比之下，對(duì)照組器件的 PCE 為 23.46%，主要因 Voc 和 FF 的顯著下降。此外，MAA 器件的遲滯指數(shù)（H-index）為 0.63%，顯著優(yōu)于對(duì)照組的 2.17%
? 中型模塊： 將制程擴(kuò)展至 11.09 cm2 的模塊，MAA 處理的模塊在反向掃描下實(shí)現(xiàn)了 22.87% 的 PCE（穩(wěn)定 PCE 為 22.48%），其 Voc 為 5.952 V、Jsc 4.70 mA cm?2、FF 81.75%，并展現(xiàn)出良好的重現(xiàn)性。模塊的 H-index 為 1.48%，對(duì)照組為 2.61% [S5]。
? 大面積模塊： 在更大面積（113.00 cm2）的模塊上，MAA 處理的器件也實(shí)現(xiàn)了 20.18% 的 PCE。
Figure 6b. J–V curves of the champion PSCs for the control and MAA
Figure 6c. I–V curves of champion PSMs without or with MAA modification (aperture area 11.09 cm2, 5 sub-cells)
Figure 6f. I–V curves of champion PSMs with MAA modification (aperture area 113.00 cm2, 14 sub-cells)
在太陽(yáng)能電池的效率測(cè)量中，EnliTech 的 SS-X AM1.5G 標(biāo)準(zhǔn)光譜太陽(yáng)光模擬器提供了穩(wěn)定且精確的 AM1.5G 光源，其 A+ 光譜等級(jí)確保了對(duì)新型太陽(yáng)能電池（如鈣鈦礦/硅疊層電池）的精確表征。
外部量子效率 (EQE) 光譜
EQE 光譜測(cè)量用于評(píng)估器件在不同波長(zhǎng)光照下將入射光子轉(zhuǎn)換為電子（電流）的效率。它能驗(yàn)證 J-V 測(cè)量所得的 Jsc 值，并提供器件在不同光譜范圍內(nèi)的響應(yīng)特性。
結(jié)果顯示，器件的 EQE 光譜積分 Jsc 值為 23.73 mA cm?2，與 J-V 測(cè)量結(jié)果一致。(Figure S24)
對(duì)于太陽(yáng)能電池的量子效率分析，EnliTech 的 QE-R 量子效率量測(cè)系統(tǒng)是全球1,000 多篇 SCI 論文信賴的選擇。它提供 EQE/IQE/IPCE/SR 測(cè)試能力，具備 300-2500 nm 的寬波長(zhǎng)范圍和高于 99.5% 的重復(fù)性。
其他表征
薄膜形態(tài)與晶體結(jié)構(gòu)分析 (SEM, AFM, XRD, GIWAXS) 評(píng)估MAA對(duì)鈣鈦礦薄膜微觀結(jié)構(gòu)的影響。MAA引入后晶粒尺寸從199 nm增至386 nm，薄膜粗糙度降低，(100)晶向優(yōu)先取向增強(qiáng)，殘余拉伸應(yīng)變顯著減輕。(Fig. 2a-i)
載流子動(dòng)力學(xué)分析 (PL, TRPL, FLIM) 評(píng)估缺陷鈍化效果與電荷傳輸特性。MAA處理后PL強(qiáng)度顯著增強(qiáng)，載流子壽命從366.9 ns延長(zhǎng)至867.1 ns，FLIM顯示界面電子提取效率提升。(Fig. 4d-f)
能帶結(jié)構(gòu)與表面電位 (UPS, KPFM) 分析MAA對(duì)能級(jí)對(duì)準(zhǔn)的調(diào)控作用。MAA處理使功函數(shù)上移、導(dǎo)帶底相應(yīng)上移，薄膜呈現(xiàn)更強(qiáng)n型特征，KPFM顯示表面電位分布更加均勻，有利于電荷傳輸。(Fig. 4a-c)
結(jié)晶動(dòng)力學(xué)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) (原位光學(xué)顯微鏡, 原位PL) 追蹤MAA對(duì)結(jié)晶過(guò)程的調(diào)控機(jī)制。MAA顯著延遲結(jié)晶速率，擴(kuò)大制程窗口，退火過(guò)程中PL強(qiáng)度持續(xù)提升顯示薄膜質(zhì)量改善。(Fig. 3a-h)
理論計(jì)算驗(yàn)證 (DFT) 闡明MAA缺陷抑制的分子機(jī)制。計(jì)算結(jié)果顯示MAA吸附后空位缺陷形成能提高，有效抑制VPb、VI、VFA等缺陷形成。(Fig. 4h)
熱穩(wěn)定性與抗氧化性 (原位變溫XRD, 質(zhì)譜分析) 評(píng)估MAA對(duì)材料穩(wěn)定性的保護(hù)作用。MAA薄膜熱分解溫度從160°C提升至180°C，具備還原I2為I?的能力，有效抑制前驅(qū)體氧化。(Fig. 5a-i)
長(zhǎng)期操作穩(wěn)定性 (光熱/濕熱測(cè)試) 驗(yàn)證包器件在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境下的耐久性。光熱條件下1120小時(shí)后保持94.5%效率，濕熱條件下550小時(shí)后保持95.6%效率。(Fig. 6g-h)
結(jié)論
研究團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)了巰基乙酰胺（MAA）雙功能添加劑策略，系統(tǒng)性解決了大面積鈣鈦礦太陽(yáng)能模塊制造中的結(jié)晶控制與環(huán)境穩(wěn)定性挑戰(zhàn)。
核心技術(shù)突破：
1. 結(jié)晶動(dòng)力學(xué)優(yōu)化：MAA延遲結(jié)晶速率并擴(kuò)大制程窗口，晶粒尺寸從199 nm顯著增至386 nm，(100)晶向優(yōu)先取向增強(qiáng)，殘余應(yīng)變大幅減輕。
2. 高效缺陷鈍化：載流子壽命從366.9 ns延長(zhǎng)至867.1 ns，PLQY從0.25%提升至0.94%，DFT計(jì)算證實(shí)MAA有效抑制空位缺陷形成。
3. 能帶調(diào)控與電荷傳輸：功函數(shù)從-4.85 eV調(diào)整至-4.64 eV，導(dǎo)帶底上移促進(jìn)n型特征，表面電位分布更加均勻，界面電子提取效率提升。
4. 環(huán)境穩(wěn)定性增強(qiáng)：熱分解溫度從160°C提升至180°C以上，MAA的還原特性有效抑制前驅(qū)體氧化，增強(qiáng)材料本質(zhì)穩(wěn)定性。
5. 器件性能：
小面積PSC達(dá)成25.52%高效率
11.09 cm2迷你模塊實(shí)現(xiàn)22.87% PCE（穩(wěn)定效率22.48%）
113.00 cm2大面積模塊達(dá)到20.18% PCE
長(zhǎng)期穩(wěn)定性表現(xiàn)優(yōu)異：光熱條件1120小時(shí)后保持94.5%效率，濕熱條件550小時(shí)后保持95.6%效率
文獻(xiàn)參考自Advanced Energy Materials_DOI: 10.1002/aenm.202502193
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